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设备概况

设备名称

型号

主要技术水平指标

主要用途

电子束曝光机

Raith150-Turnkey

分辨率2nm;最小线宽50nm;拼接精度20 nm.

半导体微纳加工

化合物ICP

Plasmalab System 100

刻蚀多种化合物及多元化合物;二氧化硅刻蚀选择比:4:1~10:1;侧壁与底面夹角:>85°

半导体微纳加工

电子束蒸发

Explorer 14

每一次工艺可以蒸发四种不同金属材料;Lift-off工艺一次可以蒸镀182"圆片;Step-coverage工艺一次可以蒸镀362"圆片;工艺的均匀性和重复性±5%;

半导体微纳加工

离子束溅射

Optofab3000

膜厚精确度:±1.5%;中心波长膜厚度均匀性:3英寸范围内±0.5%;增透膜:对关键激光波长,如633nm1300nm等;反射率0.25%;低损耗:100ppm

半导体微纳加工

ICP

Alcatel 601E

最大刻蚀深度大于600微米;刻蚀均匀性±<2.5%;常规多步硅刻蚀速率为5 10 μm/min,最高可达18μm/min/二氧化硅刻蚀选择比:>150:1,硅/光刻胶刻蚀选择比:>50:1,侧壁与底面夹角:90°±1°

半导体微纳加工

PECVD

Multiplex CVD

可沉积厚达十几个微米的SiO2;淀积低应力SiNSiON等介质膜;淀积速率:>150nm/min(SiO2)>100nm/min (SiN)均匀性和重复性:<±5%

半导体微纳加工

AOE

Multiplex AOE

介质膜刻蚀速率:>2500A/min选择比:光刻胶>4:1;多晶硅>15:1均匀性和重复性:<±5%侧壁与底面夹角:>88°

半导体微纳加工

光刻机(包括热板)

MA6/BA6

双面曝光;线宽1μm对准精度1μm可以刻蚀各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6”

半导体微纳加工

匀胶

Delta80T2

可以对规则和不规则的基片涂胶并保证较厚均匀没有厚胶边。最大基片直径6”,转数1000-5000rpm

半导体微纳加工

显影

Delta20W8T

显影时间自动控制

最大显影时间:999

最大冲水时间:999

最大基片直径6”

半导体微纳加工

微波等离子去胶机

Plasma System300

去除表面残胶及表面态处理

工作频率:2.45GHz

最大功率:1000W

最长工艺时间:9999

半导体微纳加工

键合系统

SB6e

硅片厚度:0.10~4.0mm;最大电压:2000V;最大电流:10mA;压力范围:0-5000mbar;最高温度:500;温度均匀性:±5K

半导体微纳加工

硅片清洗系统

CL200

系统可以完成基片清洗和预键合,工作频率:2.45GHz

清洗基片尺寸:2“4”

最长清洗时间:999

半导体微纳加工

自动耦合对准系统

PM500-C

光纤参数:SM-9/125紧套光纤、光纤前端为磨锥透镜光纤,夹角=35o r=7-8μm;调节精度:最小步长=0.05μm 6维调节(距离较近时2维调节);

光子器件测试

光学参数测试系统

8164A

测试波长范围:1510-1640nm 最小步长=1.0pm

半导体微纳加工

棱镜耦合仪

2010

测量厚度1微米以上的介质膜

光源波长:6328nm

厚度准确度:1nm

折射率准确度:0.0001

光学测试

太阳模拟器

94041A-1000

AM0AM1AM1.5

光束尺寸:6“×6”

光束均匀性:±5%

最大功率:1.1sun

测试设备

台阶仪

P-6

进行台面高度测量

Z方向测量高度:1mm

Z方向分辨率:0.1nm

XY行程:150mm

具备测量薄膜应力功能

测试设备

半导体参数测试仪

B1500

半导体器件IV测试

三组独立测量源

可以测量两端、三端和四端器件

半导体微纳加工

激光共焦显微镜

OLS40-SU

放大倍率:108~17280

平面重复性:100x: 3  sn-1=0.02 μm

Z方向显示分辨率:1nm

半导体微纳加工

Track

KS-L50

匀胶种类:3

最高转速范围:5000

热板数量:2

最高温度:150

半导体微纳加工

Stepper

NSR-1755i7A

缩小比率:5:1

分辨率:0.5微米

最大曝光面积:17.5×17.5mm2

套刻精度:|X| + 3σ≤50nm

半导体微纳加工

ICP

HiEtch-Lx2000

刻蚀多种化合物及多元化合物;二氧化硅刻蚀选择比:4:1~10:1

侧壁与底面夹角:>85°

半导体微纳加工

磁控溅射台

Discovery 365

主要用于常规金属的溅射沉积。目前配有Ti AlCoNiFeNi80Fe20CuWTiNTaCrWTi。片内及片间均匀性小于5%

半导体微纳加工

聚焦离子束刻蚀与沉积系统(FIB

FB-2100

分辨率:6 nm
沉积材料:W
放大倍率:700-90,000
样品尺寸:最大2英寸

半导体微纳加工

电子显微镜

NanoSEM650
(FP2054/25)

主要用于研究各种样品的细微结构、表面形貌、成分分析,可以应用到各个领域,是光学显微镜的重要补充,是显微观察学的重要技术手段。

材料形貌检测

ICP刻蚀系统

VERSALINE DSE PM #1

BOSCH工艺下,刻蚀速率≥4um,选择比(Si:PR≥60:1,纵横刻蚀比≥30:1,侧壁粗糙度≤250nm。二氧化硅刻蚀速率速率≥0.2um,选择比(Si:PR≥2:1。氮化硅刻蚀速率速率≥0.3um,选择比(Si:PR≥3:1

半导体微纳加工

晶体管图示仪

Taktronics370A

测试电压范围:0~1500V

电压最小分度5mV

电流测试范围:0~5A

电流最小分度:1nA

器件测试









 
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