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服务项目

序号

工艺(设备)名称

描述(工艺能力)


1

电子束曝光

纳米级图形光刻;分辨率2nm;最小线宽50nm;拼接精度20nm


2

紫外光刻

具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段;可以双面曝光;可刻各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6",分辨率0.5μm;最小线宽1μm





3

匀胶(SUSS

可以对规则和不规则的基片涂胶并保证较厚均匀没有厚胶边;

最大基片直径6英寸,转数1000-5000rpm


4

等离子去胶

使用氧等离子体对光刻后残胶进行去除,也可对其他无污染有机物进行刻蚀或表面处理;

工作频率:2.45GHz

最大功率:1000W

最长工艺时间:9999


5

直写式光刻

光刻版制备,曝光面积:55英寸,最小图形尺寸2um以上


6

SiO2SiN刻蚀

刻蚀速率:>250nm/min

选择比:光刻胶>4:1;多晶硅>15:1

均匀性和重复性:<±5%

侧壁与底面夹角:>88°


7

SiC刻蚀

刻蚀速率:>200nm/min

选择比:Ni30:1

侧壁与底面夹角:>80°


8

深硅刻蚀(ICP)

最大刻蚀深度大于600微米;刻蚀均匀性±<2.5%;常规多步硅刻蚀速率为5 10 μm/min,最高可达18μm/min/二氧化硅刻蚀选择比:>150:1,硅/光刻胶刻蚀选择比:>50:1,侧壁与底面夹角:90°±1°


9

金属干法刻蚀

可以进行AlNiCrCu等多种金属刻蚀


10

- ICP

刻蚀GaNGaAsInP等多种化合物及多元化合物;

二氧化硅掩膜刻蚀选择比:4:1~10:1

侧壁与底面夹角:>85°


11

热氧化

在硅片上高温氧化形成SiO2薄膜;

可以采用干氧、湿氧或干湿氧结合的方式;质量优异,厚度均匀,无针孔和空隙


12

LPCVD  多晶硅

低压化学汽相沉积多晶硅膜,可以进行BP掺杂


13

LPCVD  SiN

低压化学汽相沉积氮化硅膜;

片与片间厚度均匀性:<3%

片内折射率均匀性:<0.03%


14

离子束溅射镀膜

制备光学介质膜,成膜质量高,粘附性好,有SiO2Ta2O5Al2O3TiO2ZrO2等多种靶材;

膜厚精确度:﹤±1.5%;中心波长膜厚度均匀性:3英寸范围内﹤±0.5%;增透膜:对关键激光波长,如633nm1300nm等;反射率﹤0.25%;低损耗:﹤100ppm

备有专业的光学薄膜设计软件


15

非掺杂PECVD

(STS设备)

可沉积SiO2厚度:十几纳米~十几微米;

可以淀积低应力SiNSiON等介质膜;

淀积速率:> 150nm / min (SiO2)>100nm/min  (SiN)

均匀性和重复性:<±5%


16

非掺杂PECVD

(AXIC设备)

沉积SiO2薄膜


17

掺杂PECVD

可以淀积掺Ge SiO2BSGPSGBPSG

结合退火后,淀积厚度超过20um


18

电子束蒸发(Innotec)

一次可蒸镀124英寸片或422英寸片;可蒸金属:CuCrNiTiGeAlAgSnInZnPdAuPt


19

电子束蒸发(Denton)

每一次工艺可以蒸发四种不同金属材料;Lift-off工艺一次可以蒸镀182"圆片;Step-coverage工艺一次可以蒸镀362"圆片;工艺的均匀性和重复性±5%;


20

电子束蒸发(沈科仪)

一次可蒸镀224"片;

可蒸金属:CuCrNiTiGeAlAgSnInZnPdAuPt


21

22

磁控溅射-丹顿设备

主要用于常规金属的溅射沉积。目前靶材有TiPtAuAlCoNiFeNi80Fe20CuWTiNTaCrWTi

片内及片间均匀性小于5%


磁控溅射-阿尔卡特



基片清洗

各种有机清洗,硫酸+双氧水,C处理,等


23

KOH腐蚀

湿法腐蚀Si


24

TMAH腐蚀

湿法腐蚀Si


25

无机酸腐蚀

多种材料腐蚀


26

Lift-off剥离

金属蒸发剥离


27

离子注入

1) 可注入4"及以下尺寸的基片;2)  杂质元素:硼、磷、砷;3) 离子束能量:33 keV – 130 keV4)  4"片注入片间均匀性优于±0.5%5) 配有离子注入工艺仿真软件,可较快实现设计目标。


28

高能离子注入

可注入60多种元素,多倾角,衬底尺寸:4"及以下,加热温度:500oC及以下,注入能量:15keV–600keV


29

快速退火()

低于1100N2保护


30

普通退火

炉管式较长时间退火;最高温度1050


31

兆声清洗

基片清洗和预键合

工作频率:2.45GHz

清洗基片尺寸:2"4"

最长清洗时间:999


32

Wafer  键合

具备阳极键合功能;

硅片厚度:0.10~4.0mm

最大电压:2000V;最大电流:10mA;压力范围:0-5000mbar;最高温度:500;温度均匀性:±5K


33

砂轮划片

范围:硅片,玻璃片;

不大于4"圆片;

划切硅片的刀痕50um,玻璃及陶瓷片的划痕250um


34

光纤阵列耦合

光纤参数:SM-9/125紧套光纤、光纤前端为磨锥透镜光纤,夹角=35or=7-8μm;调节精度:最小步长=0.05μm   6维调节(距离较近时2维调节)


35

耦合、测试

测试波长范围:1510-1640nm;最小步长=1.0pm


36

粘片及压焊

金丝压焊,

温度:室温~100℃;

金丝直径:25um

焊点面积:100um100um

焊点最小间距:60um

两个焊点最大距离:25px

样片最大尺寸:直径100mm


37

倒装焊

加热温度:最高400℃;

加热区尺寸:4100px2

管芯最大尺寸:1mm2


38

聚焦离子束(FIB)

分辨率:6 nm

沉积材料:W

放大倍率:700-90,000倍;

样品尺寸:最大4"


39

扫描电镜(SEM)

主要用于研究各种样品的细微结构、表面形貌、成分分析,等。

加速电压:200V-30kV

放大倍数:最大1,000,000

最高分辨率:1nm


40

台阶仪

进行台面高度测量

Z方向测量高度:1mm

Z方向分辨率:0.1nm

XY行程:150mm

具备测量薄膜应力功能


41

椭偏仪

光谱型,具有自动多点面扫描功能;

光谱范围:195nm~1680nm

入射角:4590连续自动可变;

基片面积:150150mm2


42

棱镜耦合仪

测量厚度1微米以上的介质膜。

光源波长:632.8nm

厚度准确度:1nm

折射率准确度:0.0001


43

分光光度计

全波长:175——3300nm

最小样片尺寸:20×20mm2


44

四探针测试

测量范围:电阻率:10-4105ΩNaN 电导率:10-5104 s/cm 方块电阻:10-3106Ω/□


45

太阳电池测试

AM1.5 进口标准光源,可进行太阳电池IV/PV及量子效率测试,

光束尺寸:4"×4"

光束均匀性:±5%


46

半导体测试仪

半导体器件IV测试,三组独立测量源,可以测量两端、三端和四端器件;该系统还配有脉冲信号源,可对存储器、探测器等进行测试。


47

低温探针台

可在4K至室温下测试器件的I-V/C-V等特性。


48

三维立体显微镜

放大倍率:108~17280

平面重复性:100x:  3 sn-1=0.02 μm

Z方向显示分辨率:1nm


49

原子力显微镜(AFM)

150 mm150 mm可观测范围,可编程的多点测试;

连续扫面最大面积:100100  mm

高度最大起伏:11 mm

接触模式、敲击模式等多种功能模式可选用;

平面内精度优于0.5 nm,高度方向精度优于0.2 nm

6"圆形真空吸盘,样品最大厚度可达40 mm


50

光学显微镜

多台套奥林巴斯及尼康光学显微镜,配备相应控制分析软件,最高放大倍数1000倍。


51

工艺流程

各种半导体器件工艺流程设计与实施





 
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