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SUSS MA6/BA6光刻设备

 联系人: 白云霞 010-82305147   Email: yunxiabai@semi.ac.cn

工艺名称

SUSS  MA6/BA6光刻技术

工艺目的

采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了1u m蒸发栅电极膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。

工艺过程

工艺步骤:

  1. 涂正性光刻胶,前烘。
  2. 涂负性光刻胶,前烘。
  3. 曝光。
  4. 显影负性光刻胶。
  5. 再曝光。(实际曝光正性光刻胶)
  6. 显影。
  7. 去胶底膜,蒸发金属。

工艺结果

 

 

工艺特色

 

使用双层胶,可以使栅电极做到1um的厚度。提高了器件的测试效果。

 



 
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