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Raith150电子束曝光设备

集成技术中心特色工艺介绍

联系人: 韩伟华 010-82304360  weihua@semi.ac.cn

工艺名称

Raith150电子束曝光技术

 

工艺目的

     电子束曝光设备主要适用于50nm~0.5mm超微细图形的加工,广泛地应用于纳米结构电子器件、光电子器件及NEMS器件的制备。曝光图形分辨率可达10nm,写场100mm ~500mm可调,版图可用GDSII格式编辑,曝光图形可进行SEM观察测量。

 

 

工艺过程

 

      

 

 

工艺结果

(图片说明)

 

      

(a)50nm宽的硅纳米线阵列    (b)100nm宽的金属线阵列

 

 

 

工艺特色

 


  1. 制备半导体纳米结构器件高精度核心曝光设备实现最小线宽为10nm超高分辨曝光
  2. 激光干涉定位的大行程超高真空工件台保证了20nm高精度的写场拼接,同时图形线宽和图形位移可进行SEM测量
  3. 可以实现与微米级光刻图形的结合,套刻的纳米结构可精确定位,位移误差小于30nm大大降低了工艺成本。
  4. 优异的低电压电子束曝光性能,大大降低后期维护费用

 

 

 



 
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