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III-V族半导体刻蚀设备

 

集成技术中心特色工艺介绍

设备联系人:胡传贤 樊中朝 电话:010-82305405   Emailzcfan@semi.ac.cn

工艺名称

Oxford plamalab100刻蚀设备

工艺目的

工艺气体:Cl2SiCl4/BCl3CH4H2ArSF6O2/N2刻蚀材料:Ⅲ-Ⅴ族化合物,Al2O3,ZnO,ITO,SiC,部分有机材料(PMMA,PR,BCB,PDMS等)。广泛应用在众多器件的制备中。配备有终点监控系统,可以实现在部分刻蚀界面的准确停止。

 

工艺过程

掩膜制备——Condition腔室——刻蚀——结果检测——腔室清洗。

工艺结果

(图片说明)

 

InP基复合材料刻蚀(常温)

            GaSb光栅刻蚀

 

 多层复合材料的同质刻蚀和倾角控制

 
说明: 5_q12

说明: 5_q19

 纳米压印胶底胶刻蚀

 

 GST刻蚀宽度19nm



  释放前  

  释放后GaAs/AlGaAs光子晶体刻蚀

 

多节太阳能电池台面刻蚀

 
说明: 18-215

说明: GaAs-RUN2

 EPD     GaAs/AlGaAs DBR结构            终点监控系统监控结果


说明: J:\给杨老师提供素材\402.TIF

               GaAs基光栅                GaAs基柱状阵列  

工艺特色

 

 

  • 可以很好的满足多种材料的刻蚀需求
  • 终点监控系统刻蚀实现在部分材料刻蚀界面上的准确停止。

 

 



 
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