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硅深刻蚀设备

 

设备联系人:樊中朝 常春 电话:010-82305405   Emailzcfan@semi.ac.cn

工艺名称

Alcatel 601E-D型设备硅深刻蚀技术

工艺目的

工艺气体:C4F8,SF6,O2,CF4。可以满足对单晶硅,多晶硅,GeSiC等材料的刻蚀需求,主要应用在MEMS/MOMES,TSV通孔,SOI波导器件及硅基光电子器件的制作中。为满足SOI刻蚀时对Notching的控制,下电极电源为LF电源。配备有终点监控系统,可以实现在刻蚀界面的准确停止。

工艺过程

采用C4F8(钝化)和SF6(刻蚀)分步进入反应腔室的BOSCH工艺对硅、SOI材料进行深刻蚀;采用刻蚀和钝化气体同步进入反应腔室的工艺对相应材料进行浅刻蚀。

工艺结果

(图片说明)

纵横刻蚀比>30:1              侧壁粗糙度<250nm

 

说明: 204 说明: 20051201-1-4-1row-3-1

SOI弯曲波导              Ge量子点光子晶体

 

                        

MEMS陀螺制备

 

  

 

SOI材料刻蚀中的Notching控制(槽宽2um,深宽比>25:1

 

工艺特色

 

 

  • 满足部分硅基材料的深浅刻蚀,硅深刻蚀纵横比>30:1
  • 配备有LF电源,可以有效控制SOI材料刻蚀中的Notching效应。
  • 终点监控系统可以实现在刻蚀界面上的准确停止。
  • 可在硅刻蚀表面粗化产生黑硅。

 

 

 



 
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