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祝宁华研究员作客武汉光电国家实验室
2017-05-24 点击次数:

2017年5月19日上午,半导体所副所长、我室祝宁华研究员作客武汉光电国家实验室第121期光电论坛,为广大师生作了题为“高速半导体激光器”的精彩报告。

在报告中,祝宁华研究员介绍了高速半导体激光器在光通信和微波光子技术等领域中的重要应用和发展。在报告中系统地介绍高速直接调制激光器的基本概念,高速激光器的应用领域与分类,并讨论高速激光器面临的技术挑战与发展趋势。作为支撑信息社会发展的必备器件,高速激光器分为三类,第一类主要是直调制和外调制集成,应用于模拟和数字传输;第二类则面临着通信中信道资源的有效利用,因此要求激光器是多波长发射及可调谐的;第三类面临着抗辐射、抗振动、低功耗、小体积的挑战,要求能够实现窄线宽、宽频带、高功率,可应用于相干和空间通信。接着,祝宁华研究员介绍了高速半导体激光器的技术挑战以及面临的难题,还有取得的关键技术创新。总结了历年来高速激光器技术的突破历程和重大成果,从2.5G技术起步,10G跟踪发展,18G国际先进,24G、28G国际领先,到目前32G的领先水准,成功突破国外技术封锁,为国防科技和光通信产业奠定了夯实的基础。

祝宁华,中国科学院半导体研究所,研究员,副所长。国家杰出青年基金获得者,担任Optics Express等期刊 Associate Editor,国家863计划信息领域微电子与光电子主题专家,国家自然科学基金委国际合作咨询专家组成员。主要从事高速光电子器件及集成技术研究,发表SCI论文200余篇,出版著作3部;获授权发明专利96件(美国专利2件),获国家技术发明二等奖。

华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)王健教授主持本期论坛,华中科技大学副校长骆清铭教授为祝宁华研究员颁发了“武汉光电论坛”纪念盘,来自光电国家实验室、光电学院和其他院系的师生倾听了本次报告。

来源:武汉光电国家实验室(筹)

转自:http://www.opticsjournal.net/Lab/LB11080400092.htm?action=post&oid=PT1705230000442y5B8


 
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