王欣然简介

       王欣然主要从事低维半导体物理与器件方面的研究，面向后摩尔时代微电子技术，在二维电子器件方面取得以下成果：1.针对二维过渡金属硫族化合物半导体的迁移率较低、电子散射机制不明确等问题，揭示了表/界面态对电子输运的作用规律，开展了系统界面工程，实现了最高室温迁移率的单层二硫化钼晶体管。2.发展了精确的范德华外延技术，获得多种二维有机半导体及其异质结，构筑了高性能有机晶体管、光电探测器等原型器件，并解决了界面电荷传输层的结构-性质内禀关系这一有机电子学长期以来的重要科学问题。

       曾获得江苏省科学技术一等奖（2016）、中国青年五四奖章（2016）、中国青年科技奖（2016）、江苏青年五四奖章（2014）等奖励。目前担任npj 2D Materials andApplications期刊副主编， Nano Research、Scientific Reports、半导体学报等期刊编委。迄今发表论文60余篇，包括Science，Nature及子刊10余篇，总引用超过12000次。

赵建华简介

       赵建华长期从事半导体自旋电子学研究，带领团队在高品质磁性半导体、铁磁/半导体异质结构的分子束外延生长以及自旋相关性质研究方面取得多项重要成果。主要包括：（1）把典型的磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高至200 K，创下国际最高纪录；（2）率先制备出与半导体结构和工艺兼容的超大垂直磁晶各向异性L10-MnGa单晶薄膜，可用于制备高热稳定性、高存储密度、低功耗的新型自旋电子器件；（3）在L10-MnAl磁性薄膜中观测到轨道双通道近藤效应的全部电输运证据，首次实验验证了已提出36年的轨道双通道近藤效应的理论预言；（4）创造性地在一维InAs纳米线上生长出二维高质量纯闪锌矿结构InSb单晶纳米片，加速了这种强自旋-轨道耦合窄禁带半导体材料在高速自旋电子器件方面应用和新奇量子现象探索研究等。

       曾获2000年度国家技术发明二等奖、2014年度中国电子学会科学技术一等奖、2014年度中科院优秀研究生指导教师奖等奖励。迄今发表文章200余篇，国际邀请报告40 余次。