2008-2009年度(第一届)黄昆物理奖揭晓

2008-2009年度黄昆物理奖评选近日揭晓，获奖者为清华大学物理系的姜开利研究员。9月18日，在上海举办的中国物理年会上，杨国桢理事长为姜开利研究员颁发了获奖证书。
姜开利研究员主要从事碳纳米管的生长机理、可控生长、物理性质及应用等方向的研究，取得了以下研究成果：
(1)从理论和实验两个方面开展碳纳米管生长机理的研究，提出基于VLS机制的碳纳米管生长模型和成核机理；
(2)在机理研究基础上，针对不同的应用需求，发展了超顺排碳纳米管阵列合成、单双壁碳纳米管阵列合成，以及可控终结、激光直写等可控生长技术；
(3)在获得高质量、高性能碳纳米管材料的基础上，研究其物理性质，发现了碳纳米管场发射过程中的电子冷却效应，阐明了碳纳米管场发射体的失效机制，测量了碳纳米管线和单壁、双壁、多壁碳纳米管侧壁的逸出功；
(4)在物性研究基础上，探索碳纳米管的宏观应用，研制成功基于碳纳米管的TEM栅网、触摸屏、同轴电缆、扬声器等，在国际上产生了较大的反响。
“黄昆物理奖”为弘扬2001年度中国国家最高科学技术奖获奖人黄昆先生的科学精神和他在开创我国固体物理学及半导体物理学事业中所做出的杰出贡献而设立，旨在激励做出突出贡献的中国固体物理学和半导体物理学工作者。本次评选为首届评选，共有六位候选人，分别来自于中科院半导体所、清华大学、复旦大学和中国科技大学。