【“新型半导体深能级掺杂机制研究”项目】选编  

    该论文研究了量子点和量子线的量子限域效应和掺杂特征，发现随着量子点尺寸减小，杂质的形成能和电离能随着量子点带边的升高而增加，杂质的形成能增加意味着杂质会产生所谓的“自清洁效应”，掺杂越困难；杂质的电离能升高意味着器件的载流子浓度会降低，器件的性能也会下降。

Origin of the dopingbottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study.pdf