Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O2

   【“新型半导体深能级掺杂机制研究”项目】选编  

   该论文提出解决宽禁带半导体p-型掺杂困难的实验方案,设计了InGaN/GaN多量子阱LED器件,利用材料在氧气中退火以降低镁受主的电离能以提高器件的发光效率。实验结果成功地证实了该方法可以有效提高LED的发光效率。

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