半导体所游经碧研究员荣获 2021年度中国科学院青年科学家奖
近日,中国科学院公布了2021年度中国科学院青年科学家奖获奖者名单,全院共有10名青年科技人才入选,半导体所游经碧研究员位列其中。
游经碧研究员2010年在半导体所获得博士学位,2015年到半导体所工作,主要从事钙钛矿半导体光电器件研究。带领团队连续两次创造钙钛矿太阳能电池效率世界纪录,实现了中国研究团队在此领域世界纪录零的突破,打破了该领域世界纪录长期被国外研究机构垄断的局面;发明了解决钙钛矿电池电滞问题的普适界面调控方法;提出了关键功能层无机化解决钙钛矿太阳能电池稳定性的思路。连续四年入选科睿唯安发布的“高被引科学家”,获国家杰出青年科学基金项目资助和“国际光伏工程会议青年科学家奖”。
中国科学院青年科学家奖每年评选一次,旨在表彰激励一批在科技创新活动中涌现出的先进典型和作出突出贡献的青年科技人才。希望我所青年科技工作者以受表彰的青年学者为榜样,坚定理想信念、涵养优良学风、厚植学术根基、保持科研定力,聚焦国家战略需求和科学前沿重大问题,勇攀科技高峰,为实现半导体科技高水平自立自强贡献智慧和力量。