半导体所沈国震研究员牵头的“基于准一维半导体纳米结构的柔性光电探测器研究”荣获北京市科学技术奖二等奖。

准一维半导体纳米材料具有大长径比和比表面积、高载流子迁移率、优异的弹性等特点，在柔性光电探测器中有很好的应用前景。利用其特殊的几何结构和优异的物理化学性能，探索柔性光电探测器的构筑方法，揭示材料与器件的构效关系，研发灵敏、稳定、高柔性的器件及集成系统，是准一维半导体纳米材料研究的重要科学问题之一。本项目在多个国家及省部级项目多年的资助下，提出了用准一维半导体纳米材料构筑高性能柔性光电探测器的有效方法，开创了利用传感材料低维化、复合化以及储能单元与传感单元集成化来提高柔性光电探测器性能及应用范围的手段，为传感材料设计和高性能柔性自驱动集成器件的构筑奠定了基础。