半导体所“低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用” 项目荣获国家技术发明奖二等奖

该项目通过在现有半导体激光器外延材料和器件结构中引入光子晶体结构,攻克了半导体光子晶体激光器的理论模拟方法、结构设计、外延材料生长、工艺制备和封装测试等一系列自主关键技术,实现了电子能带与光子模场的联合调控,在保持激光高效率输出的同时,输出光束的方向和模式得到极大改善,可不经整形直接使用,使光学系统大为简化。项目发表SCI论文80篇、授权国家发明专利35项、软件著作权3项。