陈良惠，半导体光电子学家。
1992年担任光电子器件国家工程研究中心第一任主任，现任名誉主任。
1939年10月生于福建。1963年毕业于复旦大学。历任“863”光电子主题专家组副组长。主持研究成功高速硅光探测器。首次发现长波长激光器的空穴泄漏现象，提出俄歇泄漏模型。主持研究成功我国第一支量子阱激光器。针对不同应用，形成系列，使我国光电子器件跃上量子阱结构新阶段，器件性能达到国际先进水平，并工程化形成百万支各类光电子器件的年生产能力，获中国科学院科技进步奖和国家科技进步奖多项。他主持筹建国家光电子器件工程研究中心并通过国家验收，建成我国半导体光电子器件研发和产业化基地。1999年当选为中国工程院院士。
陈良惠，半导体光电子学家。
1992年担任光电子器件国家工程研究中心第一任主任，现任名誉主任。
1939年10月生于福建。1963年毕业于复旦大学。历任“863”光电子主题专家组副组长。主持研究成功高速硅光探测器。首次发现长波长激光器的空穴泄漏现象，提出俄歇泄漏模型。主持研究成功我国第一支量子阱激光器。针对不同应用，形成系列，使我国光电子器件跃上量子阱结构新阶段，器件性能达到国际先进水平，并工程化形成百万支各类光电子器件的年生产能力，获中国科学院科技进步奖和国家科技进步奖多项。他主持筹建国家光电子器件工程研究中心并通过国家验收，建成我国半导体光电子器件研发和产业化基地。1999年当选为中国工程院院士。
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