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高功率半导体光电子器件

发布时间:2020-12-31 阅读次数:0

工程中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点,承接多项国家重点研发计划,在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料,波长<280nm的深紫外LED,输出光功率超过110mW,开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组,推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做大做强。研制出高功率808nm准连续激光器bar条和列阵作为固体激光器的核心泵浦源,905nm高功率脉冲激光器成功应用于车载激光雷达,中远红外量子级联激光器在科技部重点研发计划项目“有源红外气体传感材料与器件及应用”中,作为气体检测系统的核心器件发挥重要作用。