根据中国科学院《关于公布2019年中国科学院院士增选当选院士名单的公告》,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究员当选中国科学院院士(数学物理学部)。 常凯,中国科学院半导体研究所研究员。 1964年8月出生于安徽潜山,阜阳师范学院学士,北京师范大学硕士,博士。2001年入选中科院人才计划, 2005年度获得国家杰出青年基金资助,曾获2004年国家自然科学二等奖(排名第三),2013年黄昆固体物理和半导体物理奖。2019年当选为中国科学院数理学部院士。 他提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙,发现极性界面处存在极强的局域电场,可以显著的改变其能带结构,后得到实验证实。这为人工设计半导体物性打开了新的途径,在半导体结构中实现宽光谱光电响应(从红光到太赫兹);在主流半导体(Ge,InN)中实现拓扑相,突破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统认识。发现窄能隙半导体非线性Rashba自旋轨道耦合效应,指出Rassba线性模型是常凯模型的一阶近似,而非线性行为是不可避免的,纠正了长期广泛使用的Rashba模型随动量增加而出现的严重偏差。预言窄能隙体系是观测自旋霍尔效应的最佳体系,并提出电场调控磁性的方案, 为自旋调控提供了新机制。发展多带多体有效质量理论,在窄能隙半导体量子结构中发现激子绝缘体及新奇电子态的存在,得到实验验证。他的工作揭示了半导体量子结构中丰富的物理内涵。常凯是我国半导体理论物理领域一位优秀的学科带...
量子自旋液体是一种新的物质形态,可以用拓扑序的长程多体纠缠来描述。量子自旋液体在近年来备受关注,这不仅由于它在...
Group IV Ferromagnetic Semiconductors: Fabrication, Structure and Magnetic and Electrical Properties 向钢 教授 四川大学时间:2021年9月3日(星期五)下午3:30地点:2号楼303A室内容简介:Diluted magnetic semiconductors based on group-IV materials are desirable for spintronic devices compatible with current silicon technology. In this talk, we will present the results of transition metal (Mn, Fe)-doped SiGe semiconductors fabricated by non-equilibrium preparation methods including rapid thermal annealing (RTA), ion-implantation, and spark plasma sintering (SPS). After the preparation, the transition metal-doped samples become ferromagnetic semiconductors, in which the Curie temperature increases with increasing Mn doping concentration and reaches up to 300 K. The data suggest that the...
铁磁半导体材料的制备与调控 许小红 教授 山西师范大学时间:2021年9月3日(星期五)下午2:30地点:2号楼303A室内容简介:磁性半导体同时具备半导体的逻辑功能和磁性材料的存储功能,半个多世纪以来受到广泛关注。本报告主要讲述几种铁磁半导体材料的制备与调控研究。主要内容包括,利用n-p共掺的方法制备室温氧化物磁性半导体材料,利用离子交换的方法制备新型本征磁性二维硫族半导体材料,并对其磁学性质和输运性质进行调控。报告人简介:许小红,教授,博士生导师;山西师范大学副校长;国家杰出青年科学基金获得者;现任磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室主任;中国物理学会理事、中国真空学会理事,中国物理学会磁学分会副主任。主要从事半导体自旋电子学材料、信息存储材料与器件、复杂氧化物界面物理及二维铁磁/铁电材料等。