照明中心对外加工项目表
序号 | 工艺（设备）名称 | 描述（工艺能力） |
1 | MOCVD设备 | 1. 每炉可生长3片2英寸外延片， 2. 可生长基于蓝宝石衬底的GaN、AlGaN、InGaN、LED、LD等外延材料。 3. 可生长基于Si衬底、SiC衬底的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、LED、LD等外延材料。 |
2 | UV-MOCVD设备 | 1. 每炉可生长1片2英寸外延片， 2. 可生长基于蓝宝石衬底的AlN、AlGaN、UV-LED等外延材料。 |
3 | PECVD | 1. 300℃低温即可淀积高质量薄膜，均匀性和重复性好; 2. 氧化硅膜厚度任意可控：从几十纳米到几十微米都可淀积，膜厚控制精确; 3. 单炉生长37片2”片，极大节约成本。 |
4 | 光刻 | 1. 365 nm(波长) 输出光强---约18-20 mW/cm2; 2. 400 nm(波长) 输出光强---约35-40 mW/cm2; 3. 曝光有效范围:4英寸直径; 4. 曝光精度：硬接触模式<1微米,软接触<1.5微米; 接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米 |
5 | 电子束蒸发 | 1. 一次工艺可以蒸发四种不同金属材料；Ti/Al/Ti、Ni/Au、CrPtAu等，Au最厚可做到3um； 2. 蒸镀温度在室温到100℃之间可调； 3. Lift-off工艺一次可以蒸镀108片2"圆片； 4. Step-coverage工艺一次可以蒸镀67片2"圆片； 5. 工艺的均匀性和重复性±5％. |
6 | 电子束蒸发 ITO | 1. 可加工横向尺寸2英寸以下的任意图型的平片状结构的基片，基片材料需要耐300摄氏度高温，不能污染设备腔室；标准2英寸晶片一次最大加工110片，3英寸晶片最大加工数量20片； 2. 300nm厚度ITO的方阻约10左右，on glass 460nm波长透过率90%左右，表面粗糙度约15nm。 |
7 | Ⅲ-Ⅴ族 ICP | 1. 刻蚀气体：主要为氯气、三氯化硼; 2. 刻蚀材料：GaN、蓝宝石; 3. wafer尺寸：2英寸或以下; 4. 每炉片数：7片*2inch |
8 | 退火 | 1. 适用2-6英寸工艺尺寸; 2. 温度范围为200～750℃±1℃/24h; 3. 氮气保护; 4. 生产效率：50～100片/批 |
9 | 基片清洗 | 1. 共18个工作槽位，配备氮气及纯水清洗系统; 2. 可进行常规有机、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗； lift-off 工艺；湿法腐蚀氧化硅等工艺。 |
10 | 等离子去胶 | 1. 等离子体室：石英，直径245mm，深380mm; |
11 | 蓝宝石减薄 | 1. 可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer; 2. 一次加工3片2英寸大小的wafer; 3. 研磨盘转速：0-350rpm，通常设置为：63-75rpm; 4. 减薄速率：0.2-2um/分钟 |
12 | 激光划片裂片 | 1. 标配4英寸平台; 2. X-Y平台140mm行程，0.1μm分辨率; 3. Z轴调焦平台，1μm分辨率; 4. θ轴旋转精度0.0001°，±7° |
13 | LED芯片扫描mapping | 1. 自动化LED wafer/chip点测设备、漏电流测试单元和光学测试模组； 2. 可测量大功率和小功率LED芯片I-V特性、正向电压、光功率、反向漏电、反向电压、峰值波长、主波长、ESD等基本的LED光电性能参数； 3. 高压恒流电压，电压范围可达200V； 4. 半自动Chroma大面积光探测器(量测角度可达128度) |
14 | LED芯片分选 | 1. 最高32类分选 2. Φ100mm以下的LED基板 3. 芯片规格为0.25-1mm2 |
15 | 激光剥离 | 1. 管芯隔离后2寸wafer，10min可实现剥离; 2. 2寸整片剥离需40min |
16 | Wafer 键合 | 1. 可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer； 2. 键合界面需要金属镀层，如Au、AuSn合金等； 3. wafer界面表面平整、干净，粗糙度小于100nm； 4. 键合温度最高450度，压力最高900kg。 |
17 | 光学镀膜系统 | 1. 蒸发材料：SiO2，Ti2O5等 2. 加工能力：2寸片，102片； 3. 蒸镀温度在室温到300℃之间可调； 4. 膜厚均匀性3000A ≦3%； 5. 波长反射率和透过率可实现≧98%； |
18 | HP-6103型精密自动划片机 | 1. HP-6103型精密自动划片机主要用于发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子芯片等的划切加工。适用于硅、石英、氧化铝、氧化铁、铌酸锂、压电陶瓷和玻璃等材料的划切加工。 2. 转速范围 rpm 3000-40000 3. θ轴 定位精度 45＂ 4. X轴 有效行程230mm，进给速度 0.1-300mm/s 5. Y轴 有效行程152mm 单步精度±0.003mm 返程间隙≤0.003 mm 6. Z轴 有效行程 20mm，重复精度≤0.002mm |
19 | 超声波金丝球焊机 | 1. 适用金丝线径： 0.8～2mil 2 焊接温度：60～400℃ 3. 超声功率：四通道0～3W分两档连续可调 4. 焊接时间：二通道0～100ms 5. 焊接压力：二通道35～180g 6. 一焊至二焊最大自动跨度：双向均不小于4mm 7. 尾丝长度：0～2mm 8. 金球尺寸：线径的2～4倍可任意设定 9. 最小焊接时间：0.4s/线 10. 夹具移动范围：Φ25mm |
20 | 共晶机 | 1. 贴片速度：90—240 粒/小时 2. 分辨度：0.00254 mm |
21 | 植球机 PALOMAR 8000 | 1. 8000型焊线机是全自动，热超声，高速金球、金凸点、球形和引线焊接设备。 2. 周期时间: 0.125 秒/线; 0.077 秒/凸点 3. 焊接精度: +/- 2.5μm, 3 sigma 4. 大工作区域: 75 mm (3 inch) 5. 特点： ·无尾凸点焊接模式 ·单步平面金凸点 ·链式焊接 ·可以在焊接表面高度超过20mm范围 (0.78 inch)内实现真正的正交焊接，稳定的生产高品质的焊点。 |
22 | ASM固晶机 | 具备点胶、固晶功能,可固晶正装倒装芯片；配有单晶片固定环的旋转盘，可接受大至6英寸外径的晶圆环；加工精度1.5mil(38um);周期时间165ms |
23 | 扫描电子显微镜及能谱仪 | 1. 样品表面、截面及倾斜形貌观察。 2. 分辨率：1.0nm (15kV)；2.0nm (1kV)； 1.4nm(1KV)入射电子减速功能 3. 加速电压：0.5 ~ 30kV，0.1kV/步 4. 放大倍率：×20 ~×800,000 5. 元素分析。 6. 作用力范围2~3um，分辨率微米量级。 |
24 | 原子力显微镜 | 1. 观察样品表面形貌及粗糙度。 2. 横向分辨率为0.1-0.2nm，纵向分辨率为0.01nm。 |
25 | X射线衍射仪 | 联动扫描，摇摆曲线，phi扫描，RSM扫描。 |
26 | RTP600快速热退火 | 铁电膜的制备，欧姆接触制备快速氧化，快速氮化，各种半导体材料CVD工艺的热处理，温度不高于750℃，时间不长于30分钟。 |
27 | 荧光光谱仪 | 1. 325nm激光器，405nm激光器；PI CCD探测器160-870nm； 2. 可进行室温、低温（10K）、变温测试。 |
28 | 时间分辨荧光光谱仪 | 1. 氢灯，375nm脉冲激光器；氙灯；200-1100nm； 2. MCP-PMT探测器，50ps-10s寿命测试范围；PL、PLE测试； 3. 室温，变温，变功率测试。 |
29 | 拉曼光谱仪 | 1. 325nm，405nm，532nm激光器； 2. 可见与红外探测器，160-1700nm。 |
30 | 角分辨光谱仪 | 1. 针对新型结构器件的出光表面光学性质进行测量和分析。比如不同偏振态具有不同光谱特性，需要光谱测量系统具有各偏振的分辨能力；具有能带结构的薄膜光谱；表面等离子体具有敏感的光谱和角度依赖，需要光谱测试系统具有宽泛的光谱测量波段，和精确的角度分辨能力。 2. 测量模式: 上反射、下反射、透射、散射、辐射、自由、编程，共7种模式; 3. 入射范围: 0-180°; 4. 出射范围: 0-360°; 5. 角度精度: ±0.05°; 6. 波段：200-1100nm；狭缝：25μm；分辨率：1.0nm。 |
31 | 紫外可见分光光度计 | 1. 透射反射谱（240-3300nm）， 2. 积分球检测器240-2600nm， 3. 扫描速度1200nm/min (1nm 间隔）。 |
32 | LED热特性测试设备 | 可测试LED芯片、LED模组的结温、升温曲线、降温曲线、热阻等 |
33 | Keithley4200半导体参数测试系统 | 可提供脉冲电流，对半导体器件进行I-V测试、C-V测试 |
34 | 综合物性测试系统（PPMS） | 1. 物理性能测量， 2. 1.9K到室温， 3. 变温测试， 4. Hall效应测试 |
35 | LED器件光电色综合测试系统 | 1. LED器件光电色， 2. 波长范围360~780nm |
36 | ESD静电敏感测试系统 | 测试不同半导体器件的ESD耐受度 |
37 | 纳米粒度仪 | 纳米粒度测试、Zeta电位测试 |
38 | LED照明产品光电色综合测试系统 | 1. 可测试LED灯具的综合光电色参数；可对LED模组进行控温测试 2. 积分球2m； |
39 | 可见光通信测试 | 带宽测试，设备可测试范围可达3GB，系统测试范围可达1GB； |
40 | 加速老化测试（可测试紫外器件 | 可批量对LED进行实时老化测试，实时测试光谱，光谱波长测试范围200~800nm，可实时测试LED热阻。 |
41 | APSYS模拟 | 半导体器件通用模拟软件，可进行2D或3D计算，适用于LED、OLED，太阳能电池、光电探测器、HEMT，HBT等各种半导体器件，能够模拟异质结能带图，电势分布，电场分布，电流分布，载流子分布，热分布，自发辐射，I-V曲线等众多光电特性。 |