InAs单晶衬底
2018-08-10
产品用途：InAs单晶作为衬底材料可以生长InAsSb/InAsPSb，InNAsSb等异质结材料，制作波长2～14μm的红外发光器件。用InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
产品指标：
品种 | 直径 （英寸） | 类型 | 浓度 （cm-3） | 迁移率 (cm2/V.s) | 位错密度 (cm-2) |
纯 InAs |
2/3 | N | 5´1016 | ³2´104 | <5´104 |
Sn-InAs | 2/3 | N | (5-20) ´1017 | 7000-20000 | <5´104 |
S-InAs | 2/3 | N | (1-10)´1017 | 6000-20000 | <5´104 |
Zn-InAs | 2/3 | P | (1-10)´1017 | 100-400 | <5´104 |
晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100）, 2英寸片厚度500 ±25mm， 3英寸片厚度600 ±25mm，其它特殊规格根据要求加工。 | |||||
产品价格：价格面议。
联系电话：010-82304513/4848。
