成 熟 阶 段：√孵化期     □生长期     □成熟期

　　一、项目简介

具有体积小、便携式、高集成度、坚固耐用等优点；与汞灯相比，其能源效率高，紫外光LED能量消耗最多可以低70%；它还具有环保特性，不含有害物质汞；工作电压低，和高压汞灯相比，既提高了安全性，也降低了驱动电路成本；光学系统简单，更符合实际应用需要，在消毒杀菌、紫外固化、保密通讯、数据存储、农业及医疗领域具有广泛的应用前景，取代汞灯等传统紫外光源已经是大势所趋。

　　二、技术特点

　　半导体研究所突破了紫外模组封装材料、光学设计、驱动与热管理以及可靠性等核心技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED封装技术，尤其在波长300nm以下的深紫外LED方面掌握独特的封装与驱动技术，目前深紫外LED模组输出功率可达到超过40 mW，达到了可实用化水平。相关核心技术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条件。

　　三、专利情况

　　目前国际上在深紫外领域的专利布局还并未充分展开，主要是氮化镓蓝光LED的专利技术延伸，现有紫外技术专利以美国、日本居多，半导体所半导体照明研发中心在紫外LED的封装和应用方面已申请了12项关键专利，预计近一两年内将会进一步申请10多项核心专利，掌握专利布局主动权。

　　四、市场分析

　　深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。相比于目前传统紫外光源汞灯而言，不存在汞污染的环境问题，更加符合当今绿色环保的产业发展趋势，而且具备小巧轻便、低压低耗、易于调谐等优点。目前在杀菌消毒方面已有相关产品和市场应用，在医疗、生物、环境等领域的应用目前正在拓展中。

　　五、合作方式

　　知识产权许可，技术转让，技术开发。