成 熟 阶 段：√孵化期     □生长期     □成熟期

　　一、项目简介

　　目前，国内25G高速雪崩探测器全部依赖进口。为实现技术自主，项目组在器件模拟优化和暗电流抑制等方面进行了专项攻关，取得了技术突破，研制成功InGaAs/InAlAs分离吸收过渡电荷倍增电荷渡越（SAGCMCT）结构雪崩光电二极管芯片。该芯片采用特殊优化器件参数和高精度外延生长技术，具有低暗电流、高增益带宽、高可靠性等技术优势。25GHz器件带宽下暗电流进行了最小化优化，可用于25Gbps/s速率的高灵敏度传输领域。

　　图1 InGaAs/InAlAs分离吸收过渡电荷倍增电荷渡越（SAGCMCT）探测器的结构示意图

　　二、技术特点

　　探测波长覆盖1310nm~1550nm波段；

　　器件具有宽带高增益低暗电流的特性；

　　0.9Vb偏置电压下暗电流低至6.7nA；

　　增益带宽积210GHz以上，增益为5时带宽可高于18GHz，1倍增益响应度0.45A/W；

　　技术指标达到国际先进水平。

　　              图2 器件的暗电流在0.9Vb偏置下可以达到6×10—8A

　                       　图3 器件增益带宽积大于200GHz

　　三、专利情况

　　已申请相关领域专利1项。

　　四、应用领域及市场前景

　　高速APD在光通讯模块中可以替代探测器和光放大器的组合，实现高灵敏度探测的同时降低模块光器件成本，为5G通信和数据中心中远程传输中提供更高性价比方案。

　　五、合作方式

　　技术开发、技术转让。