近红外InGaAs/InP单光子雪崩探测器单元和阵列芯片
成 熟 阶 段:孵化期 □生长期 □成熟期
一、项目简介
本项目组采用自主研发的低噪声平衡集成技术,研制了近红外(1064nm~1550nm)单光子雪崩探测器,在TEC制冷条件下达到了高探测效率(≥30%)、低暗计数(≤10-5/门)水平;近红外单光子阵列器件采用具有自主知识产权的隔离技术,可有效降低像元串扰及提高成像分辨率,直径50μm像元中心距为100μm的背入射平面型SPAD阵列具有良好的击穿电压一致性,8*8阵列的均差在0.5V,0.9Vb偏压时暗电流小于1nA。技术达到国际先进水平,可为量子通信系统提供平衡单光子探测,为新型3D成像提供高速高质量单光子探测阵列。
图1 TEC制冷 InGaAs单光子探测平衡器件及测试模块
二、技术特点
高性能芯片的制备条件较为苛刻,达到较高的制备成品率需要高端设备和严格的技术条件。探测器阵列,室温下击穿电压均差0.5V,0.9Vb偏压时暗电流小于1nA。
图2 探测器阵列的IV特性
三、专利情况
已申请发明专利2项。
四、应用领域及市场前景
近红外单光子探测在未来激光探测领域具有明确的发展前景,在长距离、高速、高灵敏度探测和成像方面将发挥重要作用。
五、合作方式
技术转让、技术入股。