1

电子束曝光

纳米级图形光刻；分辨率2nm；最小线宽50nm；拼接精度20 nm

2

紫外光刻

具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段；可以双面曝光；可刻各种规则和不规则的基片，最大基片尺寸6"，分辨率0.5μm；最小线宽1μm

3

匀胶（SUSS）

可以对规则和不规则的基片涂胶并保证较厚均匀没有厚胶边；

最大基片直径6英寸，转数1000-5000rpm

4

喷胶机（SUSS）

可以对规则和不规则的基片涂胶，最大基片直径6英寸，光刻胶涂覆不均匀性≤10%，胶厚：2微米~10微米，可完成高台阶以及带悬空结构样片的光刻胶涂覆。

5

等离子去胶

使用氧等离子体对光刻后残胶进行去除，也可对其它无污染有机物进行刻蚀或表面处理；

工作频率：2.45GHz；

最大功率：1000W；

最长工艺时间：9999秒

6

直写式光刻

光刻版制备，曝光面积：5´5英寸，最小图形尺寸2um以上

7

SiO₂、SiN刻蚀

刻蚀速率：＞250nm/min；

选择比：光刻胶＞4:1；多晶硅＞15:1；

均匀性和重复性：＜±5%；

侧壁与底面夹角：＞88°

8

SiC刻蚀

刻蚀速率：＞200nm/min；

选择比：Ni＞30:1；

侧壁与底面夹角：＞80°

9

深硅刻蚀（ICP）

最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min，最高可达18μm/min；硅/二氧化硅刻蚀选择比：>150:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°

深硅刻蚀(ICP)-牛津设备

机械卡盘；

最大刻蚀深度大于600微米；

刻蚀均匀性±<3%；

常规多步硅刻蚀速率为3 到10 μm/min，最高可达20μm/min；硅/二氧化硅刻蚀选择比：>50:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>24:1，侧壁与底面夹角：90°±1°；

低温刻蚀（-100°C）下，侧壁粗糙度<10nm

10

金属干法刻蚀

可以进行Al、Ni、Cr、Cu等多种金属刻蚀

11

Ⅲ-Ⅴ族 ICP

刻蚀GaN、GaAs、InP等多种化合物及多元化合物；

二氧化硅掩膜刻蚀选择比：4:1~10:1；

侧壁与底面夹角：>85°

12

热氧化

在硅片上高温氧化形成SiO₂薄膜；

可以采用干氧、湿氧或干湿氧结合的方式；质量优异，厚度均匀，无针孔和空隙

13

LPCVD 多晶硅

低压化学汽相沉积多晶硅膜，可以进行B、P掺杂

14

LPCVD SiN

低压化学汽相沉积氮化硅膜；

片与片间厚度均匀性：<3%；

片内折射率均匀性：<0.03%

15

离子束溅射镀膜

制备光学介质膜，成膜质量高，粘附性好，有SiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂等多种靶材；

膜厚精确度：﹤±1.5%；中心波长膜厚度均匀性：3英寸范围内﹤±0.5%；增透膜：对关键激光波长，如633nm、1300nm等；反射率﹤0.25%；低损耗：﹤100ppm；

备有专业的光学薄膜设计软件

16

非掺杂PECVD

(STS设备)

可沉积SiO₂厚度：十几纳米~十几微米；

可以淀积低应力SiN和SiON等介质膜；

淀积速率：> 150nm / min (SiO₂)；>100nm/min (SiN)；

均匀性和重复性：<±5%

17

非掺杂PECVD

(AXIC设备)

沉积SiO₂薄膜

18

掺杂PECVD

可以淀积掺Ge SiO₂、BSG、PSG和BPSG；

结合退火后，淀积厚度超过20um

19

电子束蒸发(Innotec)

一次可蒸镀12片4英寸片或42片2英寸片；可蒸金属：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt等

20

电子束蒸发(Denton)

每一次工艺可以蒸发四种不同金属材料；Lift-off工艺一次可以蒸镀18片2"圆片；Step-coverage工艺一次可以蒸镀36片2"圆片；工艺的均匀性和重复性±5％；

21

电子束蒸发(沈科仪)

一次可蒸镀22片4"片；

可蒸金属：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt

22

23

磁控溅射-丹顿设备

主要用于常规金属的溅射沉积。目前靶材有Ti、Pt、Au、Al、Co、Ni、Fe、Ni80Fe20、Cu、W、TiN、Ta、Cr、WTi。

片内及片间均匀性小于5% 

磁控溅射-莱斯科

24

基片清洗

各种有机清洗，硫酸+双氧水，C处理，等

25

KOH腐蚀

湿法腐蚀Si

26

TMAH腐蚀

湿法腐蚀Si

27

无机酸腐蚀

多种材料腐蚀

28

Lift-off剥离

金属蒸发剥离

29

离子注入

1) 可注入4"及以下尺寸的基片；2)  杂质元素：硼、磷、砷；3) 离子束能量：33 keV – 130 keV；4) 4"片注入片间均匀性优于±0.5%；5) 配有离子注入工艺仿真软件，可较快实现设计目标。

30

高能离子注入

可注入60多种元素，多倾角，衬底尺寸：4"及以下，加热温度：500^oC及以下，注入能量：15keV–600keV

31

快速退火(灯)

低于1100℃，N₂保护

32

普通退火

炉管式较长时间退火；最高温度1050℃

33

兆声清洗

基片清洗和预键合

工作频率：2.45GHz；

清洗基片尺寸：2"和4"；

最长清洗时间：999秒

34

Wafer 键合

具备阳极键合功能；

硅片厚度：0.10~4.0mm；

最大电压：2000V；最大电流：10mA；压力范围：0-5000mbar；最高温度：500℃；温度均匀性：±5K

35

皮秒激光系统

可加工硅、玻璃、石英、碳化硅、蓝宝石、部分金属等；最小加工孔径100um（厚度500 um）

36

砂轮划片

范围：硅片，玻璃片；

不大于4"圆片；

划切硅片的刀痕50um，玻璃及陶瓷片的划痕250um；

37

研磨抛光（CMP）

硅、玻璃、石英等；最大尺寸6寸；TTV6寸范围内优于10um；Si表面粗糙度<1nm；可加工小片；最小留厚90um

38

光纤阵列耦合

光纤参数：SM-9/125紧套光纤、光纤前端为磨锥透镜光纤，夹角=35º，r=7-8µm；调节精度：最小步长=0.05µm   6维调节（距离较近时2维调节）

39

耦合、测试

测试波长范围：1510-1640nm；最小步长=1.0pm

40

粘片及压焊

金丝压焊，

温度：室温~100℃；

金丝直径：25um；

焊点面积：100um´100um；

焊点最小间距：60um；

两个焊点最大距离：25px；

样片最大尺寸：直径100mm

41

倒装焊

加热温度：最高400℃；

加热区尺寸：4´100px²；

管芯最大尺寸：1mm²

42

聚焦离子束（FIB）

分辨率：6 nm；

沉积材料：W；

放大倍率：700-90,000倍；

样品尺寸：最大4"

43

扫描电镜(SEM)

主要用于研究各种样品的细微结构、表面形貌、成分分析，等。

加速电压:200V-30kV；

放大倍数:最大1,000,000´；

最高分辨率：1nm　

44

台阶仪

进行台面高度测量

Z方向测量高度：1mm；

Z方向分辨率：0.1nm；

X、Y行程：150mm；

具备测量薄膜应力功能

45

椭偏仪

光谱型，具有自动多点面扫描功能；

光谱范围：195nm~1680nm；

入射角：45到90连续自动可变；

基片面积：150´150mm²

46

棱镜耦合仪

测量厚度1微米以上的介质膜。

光源波长：632.8nm；

厚度准确度：1nm；

折射率准确度：0.0001

47

分光光度计

全波长：175——3300nm

最小样片尺寸：20×20mm²

48

四探针测试

测量范围：电阻率：10^-4－10⁵ΩNaN 电导率：10^-5－10⁴ s/cm 方块电阻：10^-3－10⁶Ω/□

49

太阳电池测试

AM1.5 进口标准光源，可进行太阳电池IV/PV及量子效率测试，

光束尺寸：4"×4"；

光束均匀性：±5%

50

半导体测试仪

半导体器件IV测试，三组独立测量源，可以测量两端、三端和四端器件；该系统还配有脉冲信号源，可对存储器、探测器等进行测试

51

低温探针台

可在4K至室温下测试器件的I-V/C-V等特性

52

三维立体显微镜

放大倍率：108~17280；

平面重复性：100x: 3 sn-1=0.02 µm；

Z方向显示分辨率：1nm

53

原子力显微镜(AFM)

150 mm´150 mm可观测范围，可编程的多点测试；

连续扫面最大面积：100´100 mm；

高度最大起伏：11 mm；

接触模式、敲击模式等多种功能模式可选用；

平面内精度优于0.5 nm，高度方向精度优于0.2 nm；

6"圆形真空吸盘，样品最大厚度可达40 mm

54

光学显微镜

多台套奥林巴斯及尼康光学显微镜，配备相应控制分析软件，最高放大倍数1000倍

55

工艺流程

各种半导体器件工艺流程设计与实施