项目成熟阶段（选择）：□孵化期      √生长期      □成熟期

概况：数据中心和高性能计算机需要高密度、高带宽和低功耗的数据互联，硅光子被认为光互联的颠覆性技术，它在硅基CMOS工艺中集成光子器件和电子电路，为100-400G光互联提供光/电数据接口收发芯片。我国硅光子器件迅速发展，初步具备了设计与加工能力；但配套集成电路仍处空白，无法支撑光互联产业化。硅光子专用电路主要包括驱动器（DRIVER）和放大器（TIA）芯片：其中DRIVER驱动光调制器，完成发射端电光转换；TIA接收光探测器光电流，完成接收端光电转换。除此之外，两芯片还负责电接口串行/并行相互转换以及信号带宽均衡。CMOS DRIVER与TIA芯片，具备低成本、低功耗和高集成度的优势；易于大批量生产并可与DSP等数字处理电路集成在同一硅片上，未来具有更大的应用潜力。

技术特点：

提出一种CMOS分布式推挽结构驱动技术，实现一款单路56Gb/s数据率的DRIVER芯片，具备差分4VPP电压摆幅并可驱动40-50ohm MZ（或EAM）调制器，功耗低于800mW。提出一种Baud-rate采样的PAM4数据与时钟恢复（CDR）技术，在CMOS工艺下实现一款PAM4 CDR芯片和一款PAM4 TIA芯片，实测最高支持51Gb/s的PAM4输入，前端线性增益50dB，PAM4信号误码率在10-9以下，分别消耗不超过400mW功耗。

专利情况：

授权美国专利2项。未来计划在Driver架构、自适应均衡器电路、TIA架构、高速PAM4 CDR方向继续部署和申请多项专利。

市场分析及应用情况：

硅光子专用DRIVER和TIA芯片目前最大需求在于数据中心有源光缆模块和板卡，未来2-3年增长点在于5G通信蜂窝式基站的光纤互联设备。随着硅光子加工平台的成熟，光子器件将呈现模块化和通用化，因此光模块产品的差异化将来源于电子芯片。目前国内主要厂商（光迅、海信和旭创等）尚不具备电芯片研发能力，而华为海思等传统电芯片企业尚未深度涉足此领域，因此硅光专用DRIVER和TIA芯片存在较大的市场蓝海。

合作方式：技术入股。

产业化所需条件：

需要继续进行高速DRIVER和TIA芯片的研发，需要进一步投入研发环境，包括一定面积的办公和实验室、用于芯片设计的服务器、设计EDA软件、芯片测试仪器等。资金投入约2000-3000万，芯片研发团队5人，系统开发团队5人，另配商务、销售等人员5人。