产品用途：通过不同激光波长在半导体中的吸收距离和微区光电转换，可以表征光电子器件及太阳能电池微区的短路电流分布、表层缺陷、反射率等特性参数，并通过横向扫描（Mapping）形成图像，以反应各种参数的平面均匀性，尤其是晶界和位错分布，为光电子器件及太阳能电池的结构优化和工艺改进提供参考依据。设备可应用于太阳能电池研究，GaAs、InP、GaN光电子器件的研究。该设备克服了大面积光照下I-V测试与单点光谱测试的不对应性和不准确性，大大提高了光电子器件诊断精度。

产品指标： 

（1）    样品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2

（2）    激光波长：532和980nm，也可根据材料的光吸收系数而自行选配

（3）    激光光斑：50μm/100μm可选

（4）    测试电流范围：1 μA–1 mA

（5）    测试模式：LBIC，LBIV，内外量子效率，反射率，扩散长度，均为mapping成像

（6）    扫描步长：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根据实际需要自定义）

（7）    扫描速度：15 points/s

（8）    可进行单点或连续扫描（mapping）测试

产品价格：价格面议。

联系电话：010-82304181。