InP单晶衬底
产品用途:InP是一种重要的化合物半导体材料,具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。作为衬底材料用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路,在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等领域的应用十分广阔。
产品指标:
品种 | 直径 (英寸) | 导电类型 | 浓度 (cm-3) | 迁移率 (cm2/V.s) | 电阻率 (WNaN) | 位错密度 (cm-2) |
非掺 InP | 2 | N | ≦3´1016 | (3.5- 4) ´103 |
| < 1´103 |
S-InP | 2 |
N
| (0.8-6)´1018 | (1.5-3.5) ´103
|
| <500 |
3 | (0.8-6)´1018
| (1.5-3.5) ´103 |
| <2´103 | ||
4 | (0.8-6)´1018
| (1.5-3.5) ´103 |
| <5´103 | ||
Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.6-6) ´1018 | 50-70 |
| <5´103 |
Fe-InP | 2 |
SI |
| >1000 | >0.5´107 |
< 5´103 |
3 | ||||||
4 | ||||||
晶片单面抛光或双面抛光,开盒即用。晶向(100), 2英寸片标准厚度350 ±25mm,3英寸和4英寸片标准厚度600 ±25mm,其它特殊规格根据要求加工。 |
产品价格:价格面议。
联系电话:010-82304513/4848。