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InP单晶衬底

2018-08-10   

产品用途:InP是一种重要的化合物半导体材料,具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。作为衬底材料用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路,在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等领域的应用十分广阔。

产品指标:

品种

直径

(英寸)

导电类型

浓度

cm-3

迁移率

(cm2/V.s)

电阻率

(WNaN)

位错密度

(cm-2)

非掺 InP

2

N

3´1016

(3.5- 4) ´103

 

< 1´103

 

S-InP

2

 

 

 

N

 

(0.8-6)´1018

(1.5-3.5) ´103

 

 

<500

3

(0.8-6)´1018

 

(1.5-3.5) ´103

 

<2´103

4

(0.8-6)´1018

 

(1.5-3.5) ´103

 

<5´103

Zn-InP

2/3/4

P

(0.6-6) ´1018

50-70

 

<5´103

 

Fe-InP

2

 

SI

 

>1000

>0.5´107

 

< 5´103

3

4

晶片单面抛光或双面抛光,开盒即用。晶向(100, 2英寸片标准厚度350 ±25mm3英寸和4英寸片标准厚度600 ±25mm,其它特殊规格根据要求加工。

 

产品价格:价格面议

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成果动态

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