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GaN基外延材料

2018-08-10   

产品用途:本产品可用于研制GaN基微波功率器件、GaN基电力电子器件、GaN基THz发射源和探测器、GaN基MEMS、GaN基传感器、GaN基太阳能电池、GaN基紫 外及深紫外探测器等器件研制。

产品指标:

2英寸异质结构材料

衬底类型

Si

蓝宝石

SiC

直径(mm)

50.8±0.4

50.8±0.4

50.8±0.4

表面粗糙度(nm)

<0.5

<0.5

<0.5

室温2DEG迁移率(cm2/Vs)

>1600

>1700

>1700

室温2DEG面密度(cm-2)

>0.7×1013

>0.7×1013

>0.7×1013

方块电阻(Ω/□)

300-450 

300-450 

300-450 

方块电阻不均匀性(%)

<3

<3

<3

 

2英寸GaN基单层材料

直径

50.8±0.4

50.8±0.4

50.8±0.4

衬底

Si、蓝宝石、SiC

蓝宝石、SiC

蓝宝石、SiC

外延层厚度(μm

0-3μm

0-3μm

0-3μm

产品结构一般为GaN材料,如需定制AlGaN等其他材料,结构和参数需面议。

 

 

3英寸异质结构材料

衬底类型

蓝宝石

SiC

直径(mm)

76.2±0.4

76.2±0.4

表面粗糙度(nm)

<0.5

<0.5

室温2DEG迁移率(cm2/Vs)

>1700

>1700

室温2DEG面密度(cm-2)

>0.7×1013

>0.7×1013

方块电阻(Ω/□)

300-450 

300-450 

方块电阻不均匀性(%)

<4

<4

 

4英寸异质结构材料

衬底类型

蓝宝石

SiC

直径(mm)

100±0.4

100±0.4

表面粗糙度(nm)

<0.5

<0.5

室温2DEG迁移率(cm2/Vs)

>1700

>1700

室温2DEG面密度(cm-2)

>0.7×1013

>0.7×1013

方块电阻(Ω/□)

300-450 

300-450 

方块电阻不均匀性(%)

<4

<4

 

产品价格:价格面议。

联系电话:010-82304170/4140

成果动态

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