项目成熟阶段（选择）：√孵化期      □生长期      □成熟期

概况：

波分复用技术可以大大提升光纤通信的传输容量，这在骨干传送网中已经得到很好的应用。随着大数据时代，人们对信息量需求的不断提升，波分复用技术也开始应用于数据中心和接入网。高速直调的波长可调谐DBR激光器及其阵列以及电吸收调制DBR激光器及其阵列成为未来数据中心和接入网的核心关键器件。中科院半导体所光子集成技术研究组具有多年从事高速半导体波长可调谐激光器及其相关集成器件的研究经验，开发了选区外延生长技术、量子阱混杂、对接生长技术以及具有美国专利的叠层量子阱技术，具有自主可控的MOCVD光子集成材料生长经验；还开发氦离子注入隔离技术，选区外延技术调控通信信道波长控制技术，选区光栅制作技术，聚酰亚胺平坦化降低电容技术等，以及无源部件MMI和AWG设计制作技术，具备实现小规模光子集成芯片批量生产的技术。

技术特点：

高速直调可调谐DBR激光器调制速率可以达到10GHz，波长调谐范围10-15nm，可以满足10Gb/s数据15km传输。电吸收调制的DBR激光器，调制带宽可以达到20GHz，满足10Gb/s数据传输50km的，32Gb/s的背靠背眼图张开。实现了电吸收调制的DBR阵列与MMI以及SOA单片集成，单通道速率达到16GHz，满足10Gb/s信号传输75km。满足未来接入网中OLT端的需求。

专利情况：

高速调制可调谐DBR激光器及其阵列的相关的国家发明专利10余项。涉及材料以及器件制作工艺以及测试方法等。

市场分析及应用情况：

随着大数据时代的到来，信息容量呈指数形式增长。特别是数据中心光互连以及宽带接入网对高速数据传输的需求更加迫切。一旦波分复用技术应用于数据中心和接入网，那么低成本的高速调制可调谐DBR激光器以及电吸收调制的DBR激光器能为扩充通信容量的关键集成芯片。光时分波分复用无源光网络（TWDM-PON）已定为下一代PON的标准，该框架中急需解决低成本的高速可调谐激光器，以满足无色光网单元（ONU）的需求。一直以来高速光电子芯片特别是10G以上的光电子芯片长期以来进口，而中国的模块厂商如海信，武汉光迅，华美，华工正源等在国际上已经占有一定份额，设备厂商如华为，中兴更是在国际上有很大竞争力。国内急需突破高速率激光器芯片以及相集成技术，打破国外企业在高端光子芯片方面的垄断，提升相关产品以及产业在国际市场中的竞争力。

合作方式：

技术开发、技术转让。