项目成熟阶段：√孵化期      □生长期      □成熟期

概况：

高速直调DFB激光器及其阵列以及电吸收调制DFB激光器及其阵列是数据中心和接入网的核心关键器件，可以应用于单通道10-40Gb/s以及多通道40Gb/s-100Gb/s的数据, 10km到40km传输场合。中科院半导体所光子集成技术研究组具有多年从事高速半导体激光器及其相关集成器件的研究经验，开发了选区外延生长技术、量子阱混杂、对接生长技术以及具有美国专利的叠层量子阱技术，具有自主可控的MOCVD光子集成材料生长经验；还开发氦离子注入隔离技术，选区外延技术调控通信信道波长控制技术，选区光栅制作技术，聚酰亚胺平坦化降低电容技术等，以及无源部件多模干涉（MMI）和阵列波导光栅（AWG）设计制作技术，具备实现小规模光子集成芯片批量生产的技术。

技术特点：

高速DFB激光器调制速率可以达到10-25Gb/s；4-10通道DFB阵列集成芯片（可以与MMI或者AWG单片集成），波长间隔可控，速率可以达到40-100Gb/s。电吸收调制DFB激光器（EML）集成芯片，调制带宽达到32GHz,可以满足10-40Gb/s数据传输要求，传输距离可以到40km。4-10通道EML阵列集成芯片（可以与MMI或者AWG单片集成），波长间距可控，可以满足40-100Gb/s数据传输要求。

专利情况：

高速调制DFB激光器及其阵列的相关的国家发明专利20余项，美国专利2项。涉及材料以及器件制作工艺以及测试方法等。

市场分析及应用情况：

随着大数据时代的到来，信息容量呈指数形式增长。特别是数据中心光互连以及宽带接入网对高速调制DFB激光器及其阵列需求更加迫切。一直以来高速光电子芯片特别是10G以上的光电子芯片长期依赖进口，而中国的模块厂商如海信，武汉光迅，华美，华工正源等在国际上已经占有一定份额，设备厂商如华为，中兴更是在国际上有很强竞争力。国内急需突破高速率激光器芯片以及相集成技术，打破国外企业在高端光子芯片方面的垄断，提升相关产品以及产业在国际市场中的竞争力。

合作方式：

技术开发、技术转让。